Intel mostra memória mil vezes mais rápida


A Intel, em parceria com a Micron, anunciou o 3D Xpoint, que seria até 1 mil vezes mais rápido que a tecnologia de armazenamento flash. As empresas afirmam que já iniciaram a fase de produção da tecnologia, que promete superar com folga a arquitetura NAND, que é utilizada na maior parte dos cartões de memória e nos SSDs.

Segundo o comunicado da Intel, o 3D Xpoint deixa de lado os transistores e usa mudança de propriedades de material para mudar bits de um estado de baixa-resistência para alta-resistência e cria algo similar a um padrão “tabuleiro de damas” em três dimensões, que é 10 vezes mais denso do que a memória convencional. Mas este produto estará voltado inicialmente, para as máquinas vendidas para as grandes corporações. ( com agências de notícias). 

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